硅壓阻式擴散硅壓力傳感器是采用***精密半導體電阻應變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測量電路的，具有較高高的測量精度、較高低的功耗和高低的成本。惠斯頓電橋的壓阻式傳感器，如無壓力變化，其輸出為***，幾乎不耗電。
  擴散硅壓力變送器_產品實拍圖_仕樂克科技系列硅壓阻式擴散硅壓力傳感器采用周邊固定的圓形應力杯硅薄膜內壁，采用仕樂克科技自主研發技術直接將四個***精密半導體應變片刻制在其表面應力高處，組成惠斯頓測量電橋，作為力電變換測量電路，將壓力這個物理量直接變換成電量，其測量精度能達0.25-0.5%FS。硅壓阻式擴散硅壓力傳感器上下二層是玻璃體，中間是硅片，硅片中部做成***應力杯，其應力硅薄膜上部有***真空腔，使之成為一個典型的高壓擴散硅壓力傳感器。應力硅薄膜與真空腔接觸這面經光刻生成電阻應變片電橋電路。當外面的壓力經引壓腔進入傳感器應力杯中，應力硅薄膜會因受外力作用而微微向上鼓起，發生彈性變形，四個電阻應變片因此而發生電阻變化，破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡，電橋輸出與壓力成正比的電壓信號。
  擴散硅壓力傳感器的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產生與介質壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發生變化，和用電子線路檢測這變化，并轉換輸出一個對應于這高壓力的標準測量信號。